Samsung presenta la nueva memoria-chip de DDR3

Samsung Electronics de Corea del Sur afirmó haber producido el primer prototipo de memoria de chips en ordenadores mundial ultra-rápido y de bajo consumo de potencia.
El nuevo DDR3 de 512 megabites puede procesar los datos en un índice de 1,066 megabites por segundo, el equivalente de los datos de 8,000 páginas de periódico en un segundo y a doble velocidad comparado con los ya existentes chips DDR2 DRAM.
DDR3 se convertirá en la referencia para la próxima generación de memorias chips ultra-rápidas y de bajo consumo usadas en las agendas, escritorios y servidores de ordenadores.
"Nuestro éxito con DDR3 prosigue el empuje implacable que hemos venido realizando para traer los dispositivos de memoria más avanzados al mercado lo antes posible", dijo a la prensa el vicepresidente mayor de Samsung, Tom Quinn.
El prototipo DDR3 es la primera memoria chip que funciona a 1.5 voltios, haciéndolo con un menor consumo de las baterías en un mundo en el que se incrementan cada vez menos los "hilos", dijo la compañía.
Samsung comenzará la producción comercial del nuevo chip a principios del próximo año, agregó.
La firma de estudios de mercado del semiconductor IDC dijo que las primeras memorias del prototipo DDR3, de 512 megabites, serían vendidas en 2006 y representarían un 65% del mercado global de DRAMS antes de 2009.